＜薄膜トランジスタの知識＞
2007/10/01 日記<薄膜トランジスタ>
薄膜トランジスタ
薄膜トランジスタ（はくまくトランジスタ、thin film transistor、TFT） は、電界効果トランジスタ（field effect transistor、以下FET）の1種である。基本的に三端子素子（バックゲート端子（B）が存在しない）である。主に液晶ディスプレイ (LCD) に応用されている。半導体活性層としてセレン化カドミウム (CdSe) を使ったTFTは固体撮像素子用として1949年に発表され、1973年にLCDの駆動が発表された。半導体としてケイ素 (Si) を用いるものには、アモルファス膜と多結晶膜とがあり、アモルファス膜は1979年に英国ダンディ大学で開発され、その後日本を中心にLCD用に活発に研究開発が進んだ。アモルファスSiと多結晶SiのTFTは、カラーTFT LCDとして広く応用されている。
特徴と分類
ゲート端子の位置・層（レイヤー）の配置で、4種類に大別される。
種類とその特徴
を用いたインバーテッド・スタガード型TFT
膜を用いたインバーテッド・スタガード型TFT
現在広く使われているものはチャネル層に水素化ケイ素|水素化アモルファスシリコン（a-Si:H: hydrogenated amorphous silicon）が使われているが、スレッショルド電圧が経過時間・ゲート電圧・温度により変化する不安定さが問題とされている。これは
の3種類に大別される。基本的にゲート印加電圧が低い場合の主因は1、電圧が高い場合は2と考えられ、3は通常無視される。一部のメーカーにおいては一定時間の電圧と加熱により、ゲート印加電圧によって励起され不安定となったvalence band connectionをdangling bond（defect）として安定させることによって対策している。その他に有機・無機の素材を用いた薄膜トランジスタ、透明薄膜トランジスタ（transparent thin film transistor）などが研究されている。
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◆薄膜トランジスタについてピックアップ ゲート端子の位置・層（レイヤー）の配置で、4種類に大別される。 インバーテッド・スタガード（inverted staggered）型 インバーテッド・コープレーナー（inverted coplanar）型スタガード型はドレインとソース端子がチャネル層とずれた軸に追加されている。コープレーナー型はドレインとソース端子がチャネル層の横に直接ついている。インバーテ... |
