＜窒化物半導体の知識＞
2007/10/15 日記<窒化物半導体>
窒化物半導体
窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体。窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる。
従来の半導体に比べてバンドギャップの大きいワイドギャップ半導体であり、また ガリウム,インジウム,アルミニウム の濃度を変化させることにより、大きくバンドギャップを変化させることが出来る。そのため可視光領域のほぼ全てをカバーでき、発光材料として有望視されている。また他にも、化学的に安定であること、物理的に強固である(非常に固い)こと、ヒ素などの有毒物質が用いられておらず環境に優しいこと、などの特長を持つ。
歴史
1990年代、日亜化学の中村修二によりGaNを用いた青色LEDが作製され、窒化物ブームと言うべき事態が引き起こされた。2004年現在、窒化物半導体は非常に活発に研究されており、応用物理学会などでも窒化物半導体のセッションは他に比べて数倍の規模を持つ。関連記事
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