ワイドギャップ半導体について

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＜ワイドギャップ半導体の知識＞

2007/09/06 日記<ワイドギャップ半導体>

ワイドギャップ半導体

ワイドギャップ半導体とは、バンドギャップの大きい半導体を指す。ここでいう「大きい」は相対的なものなので、はっきりとはしないが、シリコンのバンドギャップが1.12電子ボルト|eVであることから、その2倍程度である2.2eV程度以上のバンドギャップを持つ場合にワイドギャップと呼ぶことが多い。主に、III-V族半導体、特に窒化物半導体は大きなバンドギャップを持ち、ワイドギャップ半導体となる。例えば窒化ガリウムでは、バンドギャップは3.39eVである。また、炭化ケイ素（2.20～3.02eV）、ダイヤモンド（5.47eV）などもワイドギャップ半導体である。用途としては、発光ダイオードなどの光半導体、低損失のパワーデバイスなどへの応用がある。

半導体物理学

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ワイドギャップ半導体光・電子デバイス

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半導体の概要

通常半導体として扱われる物質のバンドギャップは、シリコンで約1.1 eV、ゲルマニウムで約0.67 eV、ガリウムヒ素化合物半導体で約1.4 eV。発光ダイオードなどではもっと広いもの（ワイドギャップ半導体）も使われ、リン化ガリウムでは約2.3 eV、窒化 ...

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窒化物半導体

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例えばシリコンのバンドギャップは約1.2eV、ガリウムヒ素では約1.4eV、ワイドギャップ半導体の窒。 Si（シリコン） Ge（ゲルマニウム） Se（セレン）, GaAs（ガリウム砒素） GaN （窒化ガ。アルミニウムガリウムヒ素 (AlGaAs) - 赤外線・赤; ...

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コーデックについての考えてみる

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