<SOIの知識>
2007/12/03 日記SOI
SOI (''Silicon on Insulator'') は、Complementary Metal Oxide Semiconductor|CMOS 集積回路|LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。IBM社が作った技術で、IBMではサイモックス「SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)」とよんでいた。SOI技術の正体はLSIのトランジスタゲートの絶縁体|絶縁膜 (通常はSiO2) 上に形成されたSiの完全結晶|単結晶薄膜である。トランジスタを形成するのに必要なケイ素|シリコン結晶薄膜の理想は純粋シリコン結晶だが、その下の絶縁膜は完全な結晶ではないので、完全な結晶を作ることは困難だった。SOIはこれを克服して純粋なシリコン結晶薄膜を作らせる。シリコン結晶表面からわずかに深い部分に酵素分子を埋め込み、それを高熱で酸化させることでなし得る。最新LSIの製造プロセスではトランジスタの絶縁層が薄くなりすぎて、トランジスタをオフにしても電気が流れてしまう。これをリーク電流という。SOIはこのリーク電流を押さえ、絶縁層を越えて漏れ出る電荷の停留を45%減らすことが出来る。ただし、現状では工程が複雑でコストが高くつく。
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