III-V族半導体について

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＜III-V族半導体の知識＞

2007/11/09 日記

III-V族半導体

III-V族半導体（さんごぞくはんどうたい）は、III族元素とV族元素を用いた半導体である。III族(13族)元素としてはアルミニウム・ガリウム・インジウムが、V族(15族)元素としては窒素・リン・ヒ素・アンチモンがよく用いられている。これらを組み合わせ、GaAs（ガリウム砒素）、InP（インジウム燐）、InGaAs、GaInNAs（ゲイナス）などが作製される。これらIII-V族半導体は、バンドギャップが可視光領域に近い位置にあることから、主に発光デバイス材料として用いられている。例えば現在の赤・緑・青色などの発光ダイオードは、その多くがIII-V族半導体を材料としている。極超短波以上の増幅には、GaAsを用いた電界効果トランジスタ（FET）が広く使われている。またV族元素として窒素を用いたGaN（ガリウムナイトライド、窒化ガリウム）などを、特に窒化物半導体と呼ぶ。

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関連サイト

http://mars.numse.nagoya-u.ac.jp/f6/reviewarticles1.html
解説、総説
縁体／金属複合構造による新しい量子機能材料の研究竹田美和科学研究費補助金（一般研究(B)）成果報告 (1995). 新発光材料：希土類添加III-V族化合物半導体OMVPE成長と発光特性の評価藤原康文竹田美和大阪大学レーザー研シンポ’96，共...

http://results.atr.jp/atrj/ATRJ_50/10/main.html
本文
、1種類のIV族元素よりなる結晶半導体ですが、結晶中に規則正しく並ぶ原子を交互にIII族元素とV族元素とに置き換えたものがIII-V族化合物半導体結晶です。代表的なものとしてガリウム砒素（GaAs）があげられます。シリコンは発光素子とし...

http://www.techno-qanda.net/dsweb/View/SavedQuery-51
半導体
： III-V族半導体は光デバイスや高周波デバイスに用いられる重要な材料であるため、良質なIII- V族希薄磁性 ... 回答の概要：本稿では、電子デバイス応用という観点から軽元素ワイドギャップ半導体の特質を紹介し、 III- V族窒化物の材...

http://home.sato-gallery.com/satoken/NewDMS.html
New DMS
体の1種、IV族半導体(例：シリコンSi)のIV族元素をIII族元素(ガリウムなど)とV族元素(砒素、燐など）で置き換えるとIII-V族半導体(ガリウム砒素GaAsなど)が得られる。このIII族元素を交互にII族元素(亜鉛ZnやカドミウムCdなど)とI...

http://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/dspace/handle/2261/1868
UT Repository: Item 2261/1868
, 段差基板上でのIII-V族半導体の分子線エピタキシャル成長に関する研究. その他のタイトル:, Studies of Molecular Beam Epitaxial Growth of III-V Semiconductor on Nonplanar Substrates. 著者:, 沈, 旭強. 著者(別言語):, Shen, Xu-Qian...

http://www.science-forum.co.jp/podbooks/0066.htm
POD書籍：半導体材料の欠陥評価技術―GaAs基板評価・Si MOS界面評価（0066）
第1部基礎物性: 第2部評価技術: 第3部 III－V族半導体の評価: 第4部 Siの評価: 第5部測定装置 ... 第1章化合物半導体の物理＜竹田美和＞第1節化合物半導体概説第2節 III-V族化合物半導体. エネルギー・バンド構造; 電気的性...

http://www.coronasha.co.jp/np/detailindex.do;jsessionid=BEC4B57373DA554749E5C42D4D4E7D06?in=1&goods_id=440
コロナ社｜目次
II-V族半導体材料 3.1.1 2元化合物半導体 3.1.2 結晶構造 3.1.3 3元混晶 3.1.4 4元混晶 3.1.5 工学的性質 ... 4.2 III-V族半導体の光物性 4.2.1 III-V族半導体の対称性と工学的性質 4.2.2 半導体の電気工学効果 4.2.3 III-V族半導体の非線形効果参...

http://www.mot.co.jp/PR/html/news/2001/0904.html
Motorola ニュースリリース
ーラ社はIII-V族素材と呼ばれる高性能化合物半導体の高速性と光学特性を、世界で初めて量産シリコン技術と ... 基板サイズを拡大し、基板コストを下げ、III-V族製造コストを下げる ●III-V族半導体の優れた電子および光学的特性を成熟し...

http://fujita2.kuee.kyoto-u.ac.jp/research-j/thema-j/gan-mo-j/introduction-j.htm
III-V族窒化物半導体のエピタキシャル成長における結晶形制御に関する研究
野では、近年、GaN系III-V族窒化物半導体が大きな注目を集めている。それは、これまで実現困難であった青色・紫外領域の発受光デバイスの材料として大きなポテンシャルを有しているからである。この材料系の特徴の一つに、他のIII-V族化合...

http://www.cris.hokudai.ac.jp/openfacility/word/cleanroom.mousiawase.pdf
- 1 - クリーンルーム利用に関する申し合わせ（趣旨）
イプ: PDF/Adobe Acrobat - HTMLバージョンIII-V族半導体超格子・量子ドットを. 形成する装置. 工学研究科・. （武藤俊一）. 窒化物系半導体膜成長用. 有機金属MBE装置 ... III-V族半導体とII-VI 族半導体の混. 晶ヘテロ構造・超格子を形成する装. 置. 電子研・. （末宗幾夫...

http://ki.inexperienceddd.info/
審査無しカード
.ss{FONT-SIZE: 8pt}BODY {FONT-SIZE: 12px; COLOR: #777777; LINE-HEIGHT: 155%;}TD {FONT-SIZE: 12px; COLOR: #777777; LINE-HEIGH

http://www.iwanami.co.jp/moreinfo/0069370/top.html
moreinfo
ール効果（c）拡散による電流（d）アインシュタインの関係. 2．5 半導体の光学的性質. （a）直接遷移型と間接遷移型（b）発光の原理. 2．6 シリコンとIII-V族半導体. （a）シリコン（b） III-V族半導...

http://kamome.i-content.org/cgi-bin/viewer.cgi?doc_set=2006&parent=2007.10.10_07%3A05%3A28_xxxxx_Ngq1_T.dat&view=..%2FPDF-2006%2F87-31.pdf
超高純度半導体量子ドットの育成、III-V族量子ドットの高密度化、多層化
イプ: PDF/Adobe Acrobat - HTMLバージョン半導体量子細線デバイス技術の開発. 超高純度半導体量子ドットの育成、III-V族量子. ドットの高密度化、多層化. (Ga,In)(As,P)系半導体微細ナノ加工（特に回折. 格子）. 半導体・ガラス接合技術. 光合分波技術. 目標仕様. ナノ微細加工による回折格子作...

http://www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sssj/Vol25/25-12/12g768-772.pdf
半導体スーパーヘテロ界面
イプ: PDF/Adobe Acrobat - HTMLバージョンSi 障壁中埋め込み III-V 量子ドットの光学. 特性. れた範囲ではあるが成長パラメータの選択により制御可. 能である。これは，他の III-V 族半導体を用いた場合で. もほぼ同様である。以下では再結合中心の増大を意図し. て密度最大条件の近傍で作製し...

http://www.doshisha-u.jp/~ey/japanese/research_areas.html
山口栄一研究歴
族半導体の光物性及びIII族窒化物半導体の電子構造に関する研究（実験と理論: 1991 - 1998） ... 1979年より1984年まで、日本電信電話公社・武蔵野電気通信研究所・基礎研究部において、III-V族半導体MISFETの開発をめざした基礎研究に従事した [...

http://www.nedo.go.jp/itd/grant/pdf/98mb3.pdf
キャリヤ誘起磁性のための新しい半導体 ? 磁性体系の探索
イプ: PDF/Adobe Acrobat - HTMLバージョン? 蓄積された研究データから Mn は結晶中で 2 価となることが予想され、 II-VI 族、III-V 族半導体. 中での電子的挙動に関するおおざっぱな見通しが他の ... 例えば、III-V 族希薄磁性半導体における Mn は、局在スピンとアクセプターとの二役を演じて...

http://www.swagelok.co.jp/snews/china_semiconductor.htm
スウェージロック社、中国の半導体研究にソリューションを提供
構造秩序を持つIII-V族半導体の製造には、MOCVD技術が用いられます。このプロセスでは、有毒ガスや引火性の高いガスの安定した流れが必要であり、ガス・フロー・システムは安全を確保できる非常に信頼性の高いものでなければなりません...

http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/topic1.htm
研究テーマ・GaNAsBi - 京都工芸繊維大学吉本研究室
ザ用材料として現在用いられているInGaAsPと同じIII-V族半導体では、GaAsと半金属GaBiの混晶であるGaAs1-xBixが、禁制帯幅を温度無依存化する材料として期待される。有機金属気相エピタキシャル（MOVPE）法を用いたGaAs1-xBixの結晶成長が、...

http://www.jst.go.jp/erato/project/ohs_P/ohs_P-j.html
戦略的創造研究推進事業 ERATO
-V族化合物半導体という現在実用化されている材料をベースとした磁性半導体が強磁性半導体となること、また強磁性III-V族半導体/非磁性III-V族半導体へテロ構造を用いて半導体へのスピン注入が可能なことが本プロジェクトリーダーらにより実証さ...

http://kenkyudb.doshisha.ac.jp/rd/search/researcher/103031/index-j.html
研究者情報
- 1984 III-V族半導体の低次元電子系に関する研究（実験物理） 1984 - 1991 III-V族半導体の電子構造に関する研究（理論物理） 1991 - 1998 III-V族半導体の光物性に関する研究（実験物理と理論物理） 1989 - 1998 固体内重水素の異常核効...

http://www.jpo.go.jp/shiryou/s_sonota/map/kagaku04/2/2-3-3.htm
化合物半導体太陽電池の開発動向
化合物半導体にはIII-V族(主にGaAs系、他にInP,GaAlAsなど)、II-VI族(CdS/CdTe系が主でCu2S,ZnS,ZnSeなど) ... 図2-3-17に示したように、GaAs系に代表されるIII-V族化合物半導体太陽電池の主な用途は、初期には時計・電卓用が一時的に多かっ...

http://www.ee.knct.ac.jp/teachers/takakura/densi3/densi_rensyu4.pdf
1. 周期律表の II から VI 族、第2周期から第5周期までを挙げよ。
イプ: PDF/Adobe Acrobat - HTMLバージョンII-VI 族、III-V 族、IV 族半導体をそれぞれ3つ挙げよ。 3. Si や Ge のように単体の原子で構成されている半導体を何と呼ぶか。 ... III-V 族半導体は Si に比べ、作製が困難である。この理由を答えよ。 11. 可視発光ダイオードとして利用される半導体...

http://www.lib.shizuoka.ac.jp/gakui/H15/gde248.htm
工博甲第248号：木村忠：III-V族化合物半導体結晶成長における重力効果 ...
：工学博士学位記番号：工博甲第248号学位授与の日付：平成15年9月29日学位授与の要件：学位規定第5条第1項該当研究科・専攻の名称：電子科学研究科電子材料科学専攻学位論文題目：III-V族化合物半導体結晶成長における重力効果に関す...

http://www.dma.jim.osaka-u.ac.jp/kg-portal/aspI/RY0031L.asp?UNO=12840&flg=&seq=8389
特許一覧
強磁性VI 族系半導体、強磁性III-V族系化合物半導体、または強磁性 II-VI 族系化合物半導体とその強磁性特性の調整方法, 吉田博、荒木和也、佐藤和則, 台湾特許登録番号 I-252521, 2003.6, 2006.4. その他, 強磁性VI 族系半導体、強磁性III-V...

http://www.hanken.jp/LICENSE2006/L51_60.htm
ライセンス情報5
・ポイント, 3元系混晶の薄膜成長に関し、従来法と異なり原料ガスをそれぞれ別個のタイミングで導入し、しかも不純物ガスも別個に導入することにより従来にない低温成長と高濃度不純物添加を実現したIII-V族化合物半導体の結晶成長方...

http://www.j-energy.co.jp/cp/release/2000/20000405_1.php
JOMO ジャパンエナジー | 会社情報 | ニュースリリース | 2000年度
族半導体の一つ。pn接合は容易にでき，物性上は純緑色で光るが， ZnTeと異なり間接遷移型の半導体であるため，熱損失が大きく ... III-V族半導体の一つ。インジウムりんを基板としたデバイスは赤外線に感度があるため，インターネット通信...

http://www.tokyo.jst.go.jp/pr/report/report272/02-1.html
研究領域の概要及び研究総括の略歴
は、電子・光デバイス用の材料であるIII-V族化合物半導体が強磁性半導体化することを見出し、強磁性III-V族半導体／非磁性III-V族半導体ヘテロ構造を用いて半導体へのスピン偏極電流注入が可能であることを実証した独自の知見に基づく...

http://www.dev.eee.tut.ac.jp/yonezulab/index_j/growth/growth.html
growth
体デバイス用結晶はSiを代表とするIV族半導体と、GaAs、GaP、InPを代表とするIII-V族化合物半導体の二種類に大別されます。 Siは、微細加工技術の進歩により超高集積回路(Ultra Large Scaled Integrated Circuit:ULSI)が実現されており、今...

http://www.etl.go.jp/jp/results/bulletin/pdf/64-9to10/14okumura.pdf
ワイドギャップ半導体ラボ
イプ: PDF/Adobe Acrobat - HTMLバージョンLED等の光デバイスや高周波デバイスには，III-V族化. 合物半導体であるGaAsやGaP，InGaAs等の材料が用い. られている。 ... のみならず，III-V 族化合物半導体機能デバイスの基本. であるヘテロ構造を制御性良く作ることができると. 期待されている...

http://www.cmp.sanken.osaka-u.ac.jp/Memoirs/nH14cnd.htm
2002年度研究報告計算機ナノマテリアルデザイン分野
算に基づいて、磁性不純物を含むII-VI族半導体、III-V族半導体の価電子制御法とスピン間相互作用に関する電子状態の第一原理計算 ... II-VI族半導体ではV, Crが強磁性を示し、III-V族半導体では、V, Cr, Mnが強磁性を示すことを明らかにした...

http://www.webstar.co.jp/cgi_data/hyouka/patent.cgi?number=3803788
3803788 Al系III－V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III ...
l系III-V族化合物半導体の製造方法と装置によれば、非常に速い成長速度が得られることから、従来得られなかった厚膜のAl系III-V族化合物半導体が実用レベルでの量産することが可能となる。したがって、これを基板としてもちいれば各種の表示...

http://www.suzukilab.mp.es.osaka-u.ac.jp/master.html
修士論文と修了後の進路
クタイド/III-V 族半導体超構造の電子状態と輸送現象. 1998年度. 奥貴司［ソニー］ MnGa/NiGa 超格子の電子状態と磁性. 浜田幾太郎［博士課程進学］リン高圧相の電子状態と格子振動. 和田知佳［富士通］一酸化窒素分子 NO およびその集...

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20071212/144082/?ST=edaonline&ref=rss
【IEDM】III-V族半導体チャネルFET，ロジックCMOS向けの成果が相次ぐ

「2007 IEDM」におけるCMOS性能向上技術の目玉の一つは，ロジックCMOS向けIII-V族半導体チャネルFET（III-V FET）の登場である。

http://www.duki.net/semicon/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93%E7%94%A8%E8%AA%9E%E9%9B%86/%E7%AA%92%E5%8C%96%E7%89%A9%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93.php
窒化物半導体

窒化物半導体について. 窒化物半導体は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる ...

http://blog.siokaze.jp/?eid=85714
LEDの構造・原理～１．半導体について～

従って、III族元素とＶ族元素が結合すれば、化学結合的にはIV族のＧｅ、Ｓｉと同様の性質を有することになる。このような化合物をIII－Ｖ族化合物半導体と称し、ＬＥＤ用結晶として使用されている。 ...

http://johotohanzai.blog118.fc2.com/blog-entry-86.html
不純物原子からエネルギーそろう単一光子ＩＩＩ－Ｖ族半導体で初の成功

物質・材料研究機構（物材機構）と筑波大学大学院数理物質科学研究科の舛本泰章教授、池沢道男講師のグループは３日、ＬＥＤ（発光ダイオード）やトランジスタなどに広く利用されているＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体中の不純物（ドーピング）原子から、 ...

http://tftf-sawaki.cocolog-nifty.com/blog/2007/08/post_60a4.html
窒化ホウ素が紫外線の光源となる

物質・材料研究機構（NIMS：新聞では物材機構と略すようだ）のリリースを見ると、hBNもいわゆるIII-V族窒化物半導体としてGaNやAlNと同じ仲間なのだが、今まで高純度結晶を作ることが難しく、ルツボなどの耐熱材料としてしか使われてこなかったとのこと。 ...

http://www.recycle-ken.or.jp/frcblog/?p=7
第17回太陽光発電国際会議開催

■日時2007年12月3日(月) ～ 12月7日(金) ■会場福岡国際会議場(福岡市博多区石城町2-1) http://www.marinemesse.or.jp/kaigi/access/index.html ■発表分野1) 基礎研究、新材料、デバイス2)集光および宇宙用太陽電池及びシステム用のIII-V族化合物半導体 ...

http://person.blog-legend.net/2007/10/post.html
ドーパントの形成

ドナードナー(donor)には、V族やVI族など、一般に半導体を構成するIV族より最外郭電子が多い元素が使用されることが多い。ドーピングされたドナー原子は、IV族原子と結合する際に正帯電し、余剰となった電子を自由電子として放出する。 ...

http://iritis7.com/2007/11/post_14.html
腰痛治療の食事（栄養素）

マッチや花火などに用いられるほか，リン化合物は肥料，洗剤，医薬品，III―V 族化合物半導体，触媒など用途が広い。カルシウム元素記号は Ca。原子番号20，原子量40.08。比重1.55，融点848℃，沸点約1487℃。アルカリ土類金属元素の一つ。1808年デービー ...

http://ekonomiy.blog.shinobi.jp/Entry/3/
豊田合成、独オスラム社とＬＥＤ特許を相互利用

相互利用する特許はＩＩＩ―Ｖ族窒化物化合物半導体ＬＥＤの特定技術。オスラムは窒化インジウムガリウムに基づくＬＥＤとレーザーの生産技術の特許を多く保有。豊田合成も青色ＬＥＤの特許を取得している。製品化にあたり互いの特許が障害になる場合が ...

http://taiyoudenti.seesaa.net/article/52974995.html
太陽電池とは

光吸収層の材料として、シリコンの代わりに、Cu,In,Ga,Al,Se,Sなどから成るカルコパイライト系と呼ばれるI-III-VI族化合物を用いる。代表的なものはCu(In,Ga)Se2 やCu(In,Ga)(Se,S)2, CuInS2 などで、それぞれCIGS, CIGSS, CIS などと略称される。 ...

http://headlinearchive.blog122.fc2.com/blog-entry-12.html
2007年10月23日

2007/10/22 22:07:35 【半導体】エルピーダ、DRAM増産－サムスン抜き首位へ [07/10/22] 2007/10/22 22:07:12 【医学】カルノシン酸に脳神経細胞死の抑制効果がある 2007/10/22 22:06:40 【赤福餅】「国内産を使用」とうたっていた小豆や餅米に一時、中国 ...

http://miyuu33720.seesaa.net/article/60373888.html
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エレクトロニクスの進歩、特に半導体技術の向上は著しく、IC、LSI、超LSIの開発が進み、情報の伝達が容易になり高度情報化社会を迎えつつ ... http://www.fe-technica.co.jp/html/shohin/13/pdf/tebiki/2.pdf ...